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Infineon英飛凌IGBT模塊

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SUNON建準 DELTA臺達 DAP散熱風扇 Infineon英飛凌IGBT模塊

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IGBT的關鍵

IGBT的關鍵：散熱和背板工藝
IGBT的關鍵有兩點，一是散熱，二是背板工藝。
IGBT的正面工藝和標準BCD的LDMOS沒區別，區別在背面，背面工藝有幾點，首先是減薄，大約需要減薄6-8毫米，減得太多容易碎

模塊的主要優勢

模塊的主要優勢有以下幾個：多個IGBT芯片并聯，IGBT的電流規格更大。多個IGBT芯片按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復雜性。多個IGBT芯片處于同一個金屬基板上，等于是在獨立的散熱器與IGBT芯

新能源汽車的核心：IGBT

對新能源車來說，電池、VCU、BSM、電機效率都缺乏提升空間，最有提升空間的當屬電機驅動部分，而電機驅動部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕對新能源車來說，電池、VCU、BSM、電

英飛凌芯片

2017年世界十大強國GDP排行，中國第二，進一步縮小與美國的差距。但是芯片產業的現狀不容樂觀。中國進口的第一大項目，是芯片而非石油。2016年芯片進口額超過2200億美元。2017年隨著內存芯片的瘋狂上漲，這個數字應該只會增加不會減少。這

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) 就是大功率的開關器件，廣泛應用于軌道交通、航空航天、新能源和汽車電子等領域。被稱為功率變流裝置的“CPU”和“核芯”。IGBT模塊則包含了IGBT芯片設計、芯片

IGBT與MOSFET的對比

1. MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。MOSFET工作原理和IGBT模塊類似。
2. 主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。
3. 缺點：擊穿電壓低，工

IGBT的主要參數

IGBT的主要參數 1. 管壓降Ucesat::IGBT導通時，從C極到E極的電壓下降數值（任何電子元器件工作時都有一定的損耗，這時候可以把CE看成一個電阻，電流通過時，需要降低一定的電壓）
2. 集電極-發射極阻斷電壓

英飛凌RT4系列

英飛凌推出RT4系列高性價比IGBT模塊，此系列屬于英飛凌IGBT4系列的延續產品，擁有壓降小、關斷損耗小、開關頻率高、售價低等多項優異性能，主要應用于高功率逆變電源、變頻器、電焊機、電機驅動、UPS電源，另外可以替換西門康128、12V系

英飛凌IGBT型號選擇

英飛凌IGBT型號選擇選用英飛凌IGBT時，經常看到有不同的幾個系列KE3，KT3，KT4，KS4
1200V系列IGBT模塊
1600V系列IGBT模塊
1700V系列IGBT模塊

英飛凌模塊命名規則

英飛凌模塊命名規則

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