模塊的主要優(yōu)勢(shì)有以下幾個(gè)：
多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)，IGBT的電流規(guī)格更大。
多個(gè)IGBT芯片按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復(fù)雜性。
多個(gè)IGBT芯片處于同一個(gè)金屬基板上，等于是在獨(dú)立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。
一個(gè)模塊內(nèi)的多個(gè)IGBT芯片經(jīng)過(guò)了模塊制造商的篩選，其參數(shù)一致性比市售分立元件要好。
模塊中多個(gè)IGBT芯片之間的連接與多個(gè)分立形式的單管進(jìn)行外部連接相比，電路布局更好，引線電感更小。
模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產(chǎn)品，模塊的最高電壓等級(jí)一般會(huì)比IGBT 單管高1-2個(gè)等級(jí)，如果單管產(chǎn)品的最高電壓規(guī)格為1700V，則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規(guī)格的產(chǎn)品。
晶圓上的一個(gè)最小全功能單元稱(chēng)為Cell，晶圓分割后的最小單元，構(gòu)成IGBT 單管或者模塊的一個(gè)單元的芯片單元，合稱(chēng)為IGBT的管芯。
一個(gè)IGBT管芯稱(chēng)為模塊的一個(gè)單元，也稱(chēng)為模塊單元、模塊的管芯。模塊單元與IGBT管芯的區(qū)別在最終產(chǎn)品，模塊單元沒(méi)有獨(dú)立的封裝，而管芯都有獨(dú)立的封裝，成為一個(gè)IGBT管。
